消息称三星 14nm 级 DRAM 拖累 HBM3E 内存认证进度，内部正考虑调整设计

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IT之家 10 月 17 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间 15 日报道，三星电子 HBM3E 产品迟迟未能完整通过最大需方英伟达认证并开始供货是因为受到该内存的基础 14nm 级 DRAM 的拖累。报道提到三星电子的 36GB 容量 HBM3E 12H 内存可能直到 2025 年第 2~3 季度才能启动供应。 ▲ 基于三星 12nm 级 DDR5 DRAM 的服务器内存条 三星电子的 HBM3E 产品完全依赖于其 14nm 级（IT之家注：即 1a nm）DRAM，而另外两家主要 HBM 内存企业 SK 海力士与美光的产品则基于 1b DRAM，三星天然存在相对工艺劣势。此外三星电子在其 12nm 级（1b nm）DRAM 的最初设计中并未考虑到 HBM 领域的用途，因此三星无法立即调整 HBM3E 内存的 DRAM Die 选用。不仅如此，三星电子的 1a DRAM 本身也存在工艺和设计两方面的问题：三星电