三星电子否认重新设计 1b DRAM，力求提升性能和良率

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IT之家 1 月 22 日消息，消息源 DigiTimes 今天（1 月 22 日）发布博文，报道称三星电子否认了关于重新设计其第五代 10nm 级 DRAM（1b DRAM）的报道。 IT之家昨日援引 ETNews 报道，三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面临的良率和性能双重困局，已在 2024 年底决定在改进现有 1b nm 工艺的同时从头设计新版 1b nm DRAM。市场观察人士认为，三星修改 1b DRAM 设计的决定源于竞争压力。SK 海力士和美光已在 HBM 中采用 1b DRAM，而三星仍在使用之前的 1a DRAM。此外，据报道，三星启动了名为“D1b-p”的开发项目，旨在提高其 DRAM 业务的竞争力，“p”代表“prime”，象征着卓越的品质，该项目重点关注提高电源效率和散热性能。 ▲ 三星电子基于现有 12nm 级制程的 32Gb DDR5 尽管三星是全球 DRAM 领域的领导者