NEO推出两款全新3D DRAM设计，容量可达传统DRAM模块10倍

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近日，3D DRAM技术厂商NEO Semiconductor 宣布推出了两款全新的3D X-DRAM单元设计，包括1T1C 和3T0C，分别基于单晶体管单电容和三电晶体零电容的设计，预计将于2026年生产概念验证测试芯片，密度高达 512Gb，预计将可提供当前传统DRAM模块10倍的容量。 NEO Semiconductor的3D X-DRAM技术的思路跟3D NAND Flash类似，主要是通过增加堆栈层数来提高内存容量。NEO Semiconductor在2023年推出的首款3D DRAM单元设计“1T0C”（一个晶体管，零个电容器）采用了类似于3D NAND Flash芯片中的FBC浮栅极技术，但增加一层Mask光罩就可以形成垂直结构，可以做到230层堆栈，核心容量128Gb，而当前2D DRAM内存的核心容量还在16Gb，实现了8倍容量。总体来说，该设计良率高、成本低、密度大幅提升。NEO Semiconducto