刚拿到长江存储专利 三星就宣布400+层闪存！首次双晶圆键合

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快科技2月27日消息，见证历史的时刻！全球第一的存储巨头三星，居然购买中国长江存储的专利技术，来打造未来产品，而在拿到授权的第一时间，三星就宣布了基于相关技术的成果：400多层堆叠的第十代V-NAND闪存。和众多传统闪存厂商一样，三星也是一直将CMOS控制电路放在存储阵列之下，在同一块晶圆上制造，而随着堆叠层数、存储密度的急剧增加，这种架构越来越难以推进。长江存储的Xtacking晶栈架构则是在两块晶圆上分别制造控制电路、存储阵列，然后键合在一起，制造难度和成本大大降低，也有利于持续升级。三星的第十代V-NAND，就将引入这种设计。铠侠/闪迪的闪存从第八代到日前刚发布的第十代，也是类似架构。 长江存储晶栈架构 铠侠最新架构三星第十代V-NAND将堆叠超过400层(具体数字未公开)，夺回世界第一，超过开下刚刚创记录的332层。首发TLC，单Die容量1Tb(128GB)，存储密度每平方毫米28Gb，略低于三星1Tb QLC