全球首型钼原子层沉积设备亮相 半导体行业掀起惊涛骇浪

图片地址：https://n.sinaimg.cn/front20250304ac/51/w425h426/20250304/beec-81628a346c7b512e46c1ec98e6288b4d.jpg

在半导体产业飞速发展的当下，每一次技术革新都如同在芯片制造的赛道上注入了一剂强心针。近日，半导体设备领域的巨头泛林集团Lam Research重磅宣布，正式推出全球首型钼原子层沉积设备ALTUS Halo，这一消息犹如一颗石子投入平静湖面，在半导体行业激起千层浪，该设备已成功应用于逻辑半导体和3D NAND领域，展现出了巨大的应用潜力。 回顾半导体工艺的发展历程，在芯片上金属布线元器件互联等关键环节中，钨（W）曾经长期占据着主导地位。在过去相当长的一段时间里，钨凭借其极为出色的沟槽填充能力，在半导体制造工艺中扮演着举足轻重的角色。当芯片制造工艺还处于较低制程阶段时，对金属布线材料的要求更多集中在能否精准、完整地填充微小沟槽，确保电路连接的稳定性。而钨在这方面表现堪称卓越，其原子结构特性使其能够在复杂的芯片微结构中，以高度有序的方式填充沟槽，为芯片内部错综复杂的电路搭建起可靠的物理连接桥梁，保障了电子信号在芯片内部的顺畅传输，