传三星HBM4的逻辑Base Die测试良率已超40%

图片地址：https://n.sinaimg.cn/sinakd20250419s/349/w806h343/20250419/9795-b6b79c9693783732a1896c6e6a588c95.jpg

4月17日消息，随着高带内存（HBM）演进到第六代的HBM4，其底部的Base Die将首次采用逻辑制程制造，这也成为了同时拥有先进逻辑制程工艺的存储芯片厂商三星电子的一大优势。据《朝鲜日报》报道，此前在HBM技术竞争中落后的三星电子，其在HBM4 12层 技术的开发和制造方面已经取得了巨大进展，其为HBM4开发的基于其4nm逻辑制程的Logic Base Die的测试良率已超过40%。一位业内人士解释说：“40%的初始测试生产良率意味着，这是一个有利的数据，可以立即推进业务。”他补充道：“通常情况下，晶圆代工工艺的良率起始于10%左右，随着量产，良率会逐渐提高。”报道称，三星电子的晶圆代工部门引入了多项新工艺，可在生产该逻辑芯片的同时提升性能。三星电子半导体部门负责人全永铉最近也对晶圆代工部门的工作表示了鼓励。相比之下，三星的竞争对手——SK海力士正在生产HBM4 12层产品，并已向客户发送样品。目前在HBM市场，SK海力士占