新关注 > “HBM4”相关信息聚合
  • 遥遥领先对手!SK海力士首次公开展示HBM4:带宽飞跃至2TB/s
    网易新闻2025-04-28 00:00:00

    ...美技术研讨会上,首次公开展示了其HBM4技术,这也是唯一一家展示HBM4技术的公司,同时还展示了几款新产品。在HBM4内存方面,SK海力士领先于竞争对手,有消息称SK海力士已经准备好商业版本,而竞争对手如美光和三星仍处于样品阶段。根据介绍,...

  • 传三星HBM4的逻辑Base Die测试良率已超40%
    芯智讯2025-04-19 00:00:00

    ...高带内存(HBM)演进到第六代的HBM4,其底部的Base Die将首次采用逻辑制程制造,这也成为了同时拥有先进逻辑制程工艺的存储芯片厂商三星电子的一大优势。据《朝鲜日报》报道,此前在HBM技术竞争中落后的三星电子,其在HBM4 12层 技...

  • 全球首个第六代HBM!三星完成HBM4内存逻辑芯片设计:4nm工艺、性能大爆发
    快科技官方2025-01-05 00:00:00

    ...三星DS部门存储业务部最近完成了HBM4内存的逻辑芯片设计。Foundry业务部方面也已经根据该设计,采用4nm试产。 待完成逻辑芯片最终性能验证后,三星将提供HBM4样品验证。逻辑芯片即Logic die(又名Base die),对HBM...

  • 消息称 SK 海力士将为定制 HBM4 内存导入 3nm 基础裸片
    砍柴网2024-12-04 00:00:00

    ...两日报道,SK 海力士将为定制 HBM4 内存导入更为先进的台积电 3nm 工艺基础裸片,以响应英伟达等美国大型科技企业的需求。 随着 HBM 内存的演进,基础裸片(IT之家注:即 Base Die、Logic Die、Interfac...

  • 消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合,进一步降低层间间隙
    IT之家2024-11-14 00:00:00

    ...、SK 海力士、美光均对在下代 HBM4 内存中采用无助焊剂键合(Fluxless Bonding)技术抱有兴趣,正在进行技术准备。SK 海力士此前已宣布了 16 层堆叠 HBM3E,而从整体来看 HBM 内存将于 HBM4 开始正式转向 ...