全球首个第六代HBM！三星完成HBM4内存逻辑芯片设计：4nm工艺、性能大爆发

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快科技1月5日消息，据韩国朝鲜日报报导，三星DS部门存储业务部最近完成了HBM4内存的逻辑芯片设计。Foundry业务部方面也已经根据该设计，采用4nm试产。 待完成逻辑芯片最终性能验证后，三星将提供HBM4样品验证。逻辑芯片即Logic die（又名Base die），对HBM堆叠发挥大脑作用，负责控制上方多层DRAM芯片。报导引用韩国市场人士说法，运行时发热是HBM的最大敌人，而在堆栈整体中逻辑芯片更是发热大户，采先进制程有助改善HBM4能效与性能表现。除自家4nm制造逻辑芯片外，HBM4还导入10nm制程生产DRAM。 HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，主要应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）和图形处理（GPU）等领域。HBM的优点在于打破了内存带宽及功耗瓶颈。其核心优势在于采用了3D堆叠技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，通过硅通孔（TSV）技术实现芯片间的高速信号传输，