日本 DNP 实现 2nm 工艺光掩模图案化，出样 High NA 兼容光掩模

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IT之家 12 月 27 日消息，DNP 大日本印刷当地时间本月 12 日宣布，成功在其光掩模制品上绘制了支持 2nm 及以下 EUV 工艺的精细光掩模图案；同时该企业还完成了支持 High NA EUV 光刻的光掩模的初步评估并已向生态合作伙伴出样。 DNP 在 2023 年完成了适用于 3nm 工艺的光掩模开发，而满足 2nm 及以下工艺的光掩模不仅需要在直线图案尺寸上较 3nm 世代产品缩小 20%，也需要在复杂度更为凸显的曲线图案上实现同比例的尺寸压缩。 ▲ 左侧为直线图案，右侧为曲线图案 DNP 此次成功绘制精细图案，意味着其光掩模产品可满足 2nm 及以下名义制程逻辑半导体的生产需求，为更高效逻辑芯片的曝光打下了基础。该企业计划于 2027 财年（起始于同自然年 4 月）实现 2nm 光掩模量产。考虑到 DNP 和 Rapidus 双方的合作关系，DNP 的光掩模新品预计将用于 Rapidus 计划于 2025