...分别制造控制电路、存储阵列，然后键合在一起，制造难度和成本大大降低，也有利于持续升级。三星的第十代V-NAND，就将引入这种设计。铠侠/闪迪的闪存从第八代到日前刚发布的第十代，也是类似架构。 长江存储晶栈架构 铠侠最新架构三星第十代...

...主要就是在新型先进封装技术“混合键合”方面。三星选择与Y公司签署混合键合专利许可协议，来避免潜在的专利风险。 消息来自印科技01存储领域的国货之光在整个半导体行业里，存储领域是其最大的细分市场，存储芯片包括了常见的DRAM（内存）和NA...

...技术实力和创新能力,在先进半导体键合集成技术领域占据领先地位。2025年2月13日,青禾晶元在天津滨海高新区创新创业园举行了新厂房开工典礼,标志着企业正式迈向规模化发展的新篇章。 开工仪式剪彩画面新厂房:规模化发展的里程碑新厂房占地17...

...代 HBM4 内存中采用无助焊剂键合（Fluxless Bonding）技术抱有兴趣，正在进行技术准备。SK 海力士此前已宣布了 16 层堆叠 HBM3E，而从整体来看 HBM 内存将于 HBM4 开始正式转向 16 层堆叠。由于无凸块的混...